ENSGT MOS -简介
30V-100V的SGT MOSFET结构将通常的沟槽MOS(I)的栅极分成上部的控制栅和下部的屏蔽栅提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻和栅极电荷。150V-200V的SGT MOSFET结构则将控制栅设计在屏蔽栅的左右两边，显著增强了器件高温条件下的电流能力和抗冲击特性，更适宜于高温环境下的应用。具有极低的FOM，高UIS耐量，误开启风险低，产品一致性好。
SGT MOS -产品选型表
Package
Polarity
VDS(V)
ID(A)
VGS(V)
Rdson@10v(mR)typ.
Rdson@4.5v(mR)typ.
Rdson@2.5v(mR)typ.
Rdson@1.8v(mR)typ.
MSL
| 型号 | Package | Polarity | VDS(V) | ID(A) | VGS(V) | Rdson@10v(mR)typ. | Rdson@4.5v(mR)typ. | Rdson@2.5v(mR)typ. | Rdson@1.8v(mR)typ. | MSL | 规格书 | 替代 |
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